Tecnología

3D XPoint, la nueva memoria que hará olvidar las unidades flash NAND

Intel fabricará chips para el próximo ‘smartphone’ de Lenovo

Han pasado 26 años pero, finalmente, Intel y Micron tienen sustituta para las memorias flash NAND. Y es que, bajo el nombre de 3D XPoint se esconde un nuevo tipo de memoria no volátil que es hasta 1.000 veces más rápida que su predecesora.  Esta mayor capacidad permitirá ejecutar de forma más veloz juegos en calidad 8K y facilitará el procesamiento en tiempo real de grandes cantidades de información.

3D XPoint es, eso sí, aún más lenta que la tecnología DRAM aunque frente a esta última tiene como gran ventaja su menor precio por bit. De hecho la causa de que la nueva 3D XPoint sea algo más lenta es la misma que permite que sea mucho más económica: la densidad. Y es que, aunque ambas trabajan con datos de tamaños muy pequeños, la nueva memoria 3D XPoint es unas 10 veces más densa que la DRAM, lo que ralentiza el resultado final pero permite integrar más capacidad en el mismo espacio y a menor precio.

Otra gran ventaja de las nuevas memorias es su resistencia. En ese sentido, las 3D XPoint son hasta 1.000 veces más resistentes que las memorias NAND tradicionales, lo que significa que es posible leer y escribir datos en ellas muchas más veces que en el resto de tipología de discos.

Esta recién anunciada tecnología sustituirá, afirman desde Intel, en muy poco tiempo a las memorias SSD de algunos PC y servidores, especialmente aquellos que deben manejar grandes volúmenes de datos, y con el tiempo podría incluso cambiar la forma en que se interrelacionan las aplicaciones y los sistemas operativos entre sí.

¿Cómo es 3D XPoint?

Micron e Intel llevan trabajando en el desarrollo de 3D XPoint desde 2012, aunque las bases científicas de esta nueva memoria se remontan a unos años atrás. Para conseguir desarrollar esta memoria, ambas empresas desarrollaron una nueva arquitectura llamada “matriz punto de cruz”, esto es: un tablero de ajedrez tridimensional. Cada celda está conectada a líneas de metal en la parte superior e inferior que son perpendiculares entre sí y permiten las conexiones rápidas.

Crosspoint2

La célula en sí consta de un interruptor y el elemento de memoria, sin necesidad de un transistor. Almacena datos no por los electrones en movimiento, como lo hace NAND, sino cambiando la resistencia del material en sí.

Sobre el autor de este artículo

Alberto Iglesias Fraga

Periodista especializado en tecnología e innovación que ha dejado su impronta en medios como TICbeat, El Mundo, ComputerWorld, CIO España, Kelisto, Todrone, Movilonia, iPhonizate o el blog Think Big de Telefónica, entre otros. También ha sido consultor de comunicación en Indie PR. Ganador del XVI Premio Accenture de Periodismo y Finalista en los European Digital Mindset Awards 2016.